[푸드경제신문 김영수 기자]"차세대 고성능 메모리 산업이 2~3년 내에는 가시화되고 본격적으로 개화될 것이다."
삼성전자가 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 가전·IT(정보기술) 박람회 'CES 2024'에서 생성형 AI, 온디바이스(내장형) AI용 D램 등 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 반도체 제품을 대거 선보였다.
삼성전자 DS(반도체) 부문은 해마다 CES에 참가해 글로벌 IT 고객 및 파트너들에게 최신 제품을 소개하고 있다.
라스베이거스 앙코르 호텔 내 전시공간에 가상 반도체 팹 설치하고 △서버 △PC·그래픽 △모바일 △오토모티브 △라이프스타일 등 5대 응용처별로 공간을 만들었다.
이번에 전시된 고용량 라인업인 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램은 같은 패키지 사이즈에서 실리콘 관통 전극(TSV) 기술 없이도 128기가바이트(GB) 고용량 모듈 구성을 할 수 있다. TSV까지 사용한다면 최대 1테라바이트(TB) D램 모듈을 구현할 수 있어 메모리 기술의 한계를 극복한 제품으로 평가받는다.
AI 시대를 이끌 클라우드용 솔루션인 HBM(고대역폭메모리)3E '샤인볼트'도 전시됐다. 이전 세대인 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선된 제품이다.
온디바이스 AI 시장 겨냥한 △8.5Gbps 'LPDDR5X D램 △LPDDR5X-PIM △LLW D램 등을 공개하며 시장 선점에 대한 포부를 드러냈다.
초당 8.5Gb를 지원하는 LPDDR5X D램은 14나노미터(1나노는 10억 분의 1m) 공정과 하이케이 메탈 게이트 공정을 활용해 이전 세대 대비 전력 효율을 20% 개선했다. 하이케이 메탈 게이트는 누설전류를 최소화하기 위해 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 기술이다.
LPDDR5X-PIM은 메모리 병목현상을 개선하기 위해 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부에서 구현하는 PIM(Processing-in-Memory) 기술을 LPDDR에 적용한 제품이다. LPDDR5X D램보다 성능이 8배 높아졌고 전력은 50% 절감됐다.
한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 차세대 고성능 메모리 산업이 2~3년 내에는 가시화되고 본격적으로 개화될 것이라고기대했다. 그는 HBM 시장에 대해 "(메모리 반도체) 시황이 어렵더라도 앞으로도 캐펙스(Capex·시설투자)를 유지하면 경쟁력은 올라갈 것"이라며 향후 시설투자를 이어가겠다는 의지를 드러냈다.
